蔡司与ASML技术蓝图已规划至2040年

蔡司与ASML技术蓝图已规划至2040年

2026年8月3日消息，根据彭博社报道，光刻机大厂ASML供应商——德国蔡司集团（Zeiss Group）半导体事业部负责人Frank Rohmund近日在接受彭博社采访时反驳市场对AI供应链瓶颈的疑虑，并表示有信心具备足够产能，可应对持续攀升的需求。

蔡司半导体事业部于7月下旬宣布，将在德国南部的奥伯科亨新增约25,000平方米的生产相关空间，该项目自2022年5月奠基仪式以来，历时四年才实现首座大楼的完工，员工将于本月迁入大楼，剩余建筑将分阶段交付。同时，蔡司也正于另一处园区兴建新工厂，表示若市场需求持续增加，仍有扩产的空间。

Frank Rohmund表示，这些才是真正攸关产能扩充的长期投资。

资料显示，蔡司拥有近180年光学技术历史，其镜头曾协助美国太空总署（NASA）拍摄人类登月画面，如今产品涵盖半导体零组件、医疗设备、显微镜及眼镜镜片等多元业务。蔡司半导体事业于1990年代末与ASML建立合作关系，双方共同推动芯片朝向更小、更强且更节能的方向发展。

奥伯科亨和韦茨拉尔是全球两个可以建造ASML光刻机所需的光学器件的地方。蔡司也是ASML EUV光刻机光学系统的供应商，主要供应透镜、反光镜、照明器、集光器及其他关键光学元件。

特别是High-NA EUV光刻机的光学系统，包含超过4万个投影光学元件，重量约12吨，约是标准EUV光学系统体积和重量的七倍。其中，High-NA EUV照明系统增加了25,000个零件和6吨；单个High NA镜头重达数百公斤，约是现有EUV光镜的2倍大小和10倍重量。

蔡司表示，以原子级精密度制造，由超过一百层镀膜构成，该镜片模组是High-NA EUV技术的核心。尺寸远大于当前的EUV镜片模组，且制造时间约需一年。

△High-NA EUV镜片模组

蔡司表示，EUV光刻机内部的反射镜调校精度很高，如果其中一面反射镜将激光光束反射至月球，它的精准度足以击中月球表面的一颗乒乓球。

若要将High-NA EUV系统的镜片放大至与德国相同面积，测量技术就必须能够精确测量到100微米的起伏，这种精密到比原子还精细的测量技术直到如今才出现。因此，蔡司半导体与其战略合作伙伴ASML，在开发High-NA EUV技术的同时，也开发了此测量技术以验证所生产的镜片质量。

据介绍，验证High-NA EUV光学系统还需要一个专门建造的真空舱，尺寸为5米×10米，由超过10万个零件组成，重达150吨以上。

△验证High-NA EUV光学系统的真空舱

Rohmund表示，通过与ASML的合作，其零组件已参与全球约80%芯片的生产。他预期，随着超大规模云端服务业者持续投入AI基础建设，今年半导体事业将迎来显著增长。

根据Rohmund的说法，蔡司与ASML已共同制定一份相当长期的技术蓝图，目前已规划到约2040年。

不过，当前中美紧张的贸易局势仍为双方带来风险。目前美国已禁止ASML向中国出EUV光刻机和先进的浸没式DUV光刻机，美国国会议员也在持续推动出口管制扩展至所有DUV光刻机。由于蔡司也为ASML的DUV设备供应光学镜头，若新限制实施，其相关业务也将受到影响。